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半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)五大壁壘構(gòu)成（附報(bào)告目錄）

1、半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)概況

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備主要包括測(cè)試系統(tǒng)（也稱為“測(cè)試機(jī)”）、探針臺(tái)和分選機(jī)。其中測(cè)試系統(tǒng)是檢測(cè)芯片功能和性能的專用設(shè)備。在測(cè)試設(shè)備中，測(cè)試系統(tǒng)用于檢測(cè)芯片功能和性能，技術(shù)壁壘高，尤其是客戶對(duì)于半導(dǎo)體測(cè)試在測(cè)試功能模塊、測(cè)試精度、響應(yīng)速度、應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)平臺(tái)通用性、平臺(tái)可延展性以及測(cè)試數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)、采集和分析等方面提出愈來(lái)愈高的要求。探針臺(tái)與分選機(jī)實(shí)現(xiàn)被測(cè)晶圓/芯片與測(cè)試系統(tǒng)功能模塊的連接。

相關(guān)報(bào)告：北京普華有策信息咨詢有限公司《2021-2026年半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)專題研究及投資可行性評(píng)估報(bào)告》

測(cè)試系統(tǒng)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)，采集被檢測(cè)芯片的輸出信號(hào)與預(yù)期值進(jìn)行比較，判斷芯片在不同工作條件下功能和性能的有效性。作為重要的半導(dǎo)體專用設(shè)備，測(cè)試系統(tǒng)不僅可判斷被測(cè)芯片的合格性，還可提供關(guān)于設(shè)計(jì)、制造過(guò)程的薄弱環(huán)節(jié)信息，有助于提高芯片制造水平。因此，檢測(cè)設(shè)備作為能夠優(yōu)化制程控制良率、提高效率與降低成本的關(guān)鍵，未來(lái)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的地位將會(huì)日益凸顯。

根據(jù)工藝環(huán)節(jié)不同，測(cè)試系統(tǒng)主要用于晶圓測(cè)試和成品測(cè)試。晶圓檢測(cè)是指在晶圓出廠后進(jìn)行封裝前，通過(guò)探針臺(tái)和測(cè)試系統(tǒng)配合使用，對(duì)晶圓上的芯片進(jìn)行功能的測(cè)試。其測(cè)試過(guò)程為：探針臺(tái)將晶圓逐片自動(dòng)傳送至測(cè)試位置，芯片的Pad 點(diǎn)通過(guò)探針、專用連接線與測(cè)試設(shè)備的功能模塊進(jìn)行連接，測(cè)試系統(tǒng)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)、采集輸出信號(hào)，判斷芯片在不同工作條件下功能和性能的有效性。測(cè)試結(jié)果通過(guò)通信接口傳送給探針臺(tái)，探針臺(tái)據(jù)此對(duì)芯片進(jìn)行打點(diǎn)標(biāo)記，形成晶圓的 Map 圖。該環(huán)節(jié)的目的是在芯片封裝前，盡可能的將無(wú)效的芯片標(biāo)記出來(lái)以節(jié)約封裝費(fèi)用。

成品測(cè)試是指芯片完成封裝后，通過(guò)分選機(jī)和測(cè)試系統(tǒng)配合使用，對(duì)芯片進(jìn)行功能和電參數(shù)性能測(cè)試，保證出廠的每顆芯片的功能和性能指標(biāo)能夠達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。其測(cè)試過(guò)程為：分選機(jī)將被檢測(cè)芯片逐個(gè)自動(dòng)傳送至測(cè)試工位，被檢測(cè)芯片的引腳通過(guò)測(cè)試工位上的測(cè)試爪、專用連接線與測(cè)試系統(tǒng)的功能模塊進(jìn)行連接，測(cè)試系統(tǒng)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)、采集輸出信號(hào)，判斷芯片在不同工作條件下功能和性能的有效性。測(cè)試結(jié)果通過(guò)通信接口傳送給分選機(jī)，分選機(jī)據(jù)此對(duì)被測(cè)試芯片進(jìn)行標(biāo)記、分選、收料或編帶。該環(huán)節(jié)是保證出廠每顆集成電路功能和性指標(biāo)能夠達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。

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2、半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)行業(yè)概況

半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)又稱半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)，與半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)同義。兩者由于翻譯的原因，以往將 Tester 翻譯為測(cè)試機(jī)，諸多行業(yè)報(bào)告沿用這個(gè)說(shuō)法，但現(xiàn)在越來(lái)越多的企業(yè)將該等產(chǎn)品稱之為 ATE system，測(cè)試系統(tǒng)的說(shuō)法開(kāi)始流行，整體上無(wú)論是被稱為 Tester 還是 ATE system，皆為軟硬件一體。

半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)測(cè)試半導(dǎo)體器件的電路功能、電性能參數(shù)，具體涵蓋直流（電壓、流）、交流參數(shù)（時(shí)間、占空比、總諧波失真、頻率等）、功能測(cè)試等。

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半導(dǎo)體測(cè)試貫穿了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、生產(chǎn)過(guò)程的核心環(huán)節(jié)，具體如下：

第一、半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)流程需要芯片驗(yàn)證，即對(duì)晶圓樣品和封裝樣品進(jìn)行有效性驗(yàn)證；

第二、生產(chǎn)流程包括晶圓制造和封裝測(cè)試，在這兩個(gè)環(huán)節(jié)中可能由于設(shè)計(jì)不完善、制造工藝偏差、晶圓質(zhì)量、環(huán)境污染等因素，造成半導(dǎo)體功能失效、性能降低等缺陷，因此，分別需要完成晶圓檢測(cè)（CP, Circuit Probing）和成品測(cè)試（FT,Final Test），通過(guò)分析測(cè)試數(shù)據(jù)，能夠確定具體失效原因，并改進(jìn)設(shè)計(jì)及生產(chǎn)、封測(cè)工藝，以提高良率及產(chǎn)品質(zhì)量。無(wú)論哪個(gè)環(huán)節(jié)，要測(cè)試芯片的各項(xiàng)功能指標(biāo)均須完成兩個(gè)步驟：一是將芯片的引腳與測(cè)試機(jī)的功能模塊連接起來(lái)，二是通過(guò)測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)，并檢測(cè)輸出信號(hào)，判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試原理如下：

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隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展，芯片線寬尺寸不斷減小，耐高壓、耐高溫、功率密度不斷增大、制造工序逐漸復(fù)雜，對(duì)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備要求愈加提高，測(cè)試設(shè)備的制造需要綜合運(yùn)用計(jì)算機(jī)、自動(dòng)化、通信、電子和微電子等學(xué)科技術(shù)，具有技術(shù)含量高、設(shè)備價(jià)值高等特點(diǎn)。

根據(jù) SEMI 的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，測(cè)試設(shè)備中測(cè)試機(jī)在晶圓和成品兩個(gè)環(huán)節(jié)皆有應(yīng)用，因此占比最大達(dá)到 63.1%，其他設(shè)備分選機(jī)占 17.4%、探針臺(tái)占 15.2%。按照 SEMI 對(duì)全球半導(dǎo)體專用設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模發(fā)展的預(yù)測(cè)，2020 年及 2021 年，全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)?；?qū)⒎謩e達(dá)到 52.2 億美元及 56.1 億美元。

目前通過(guò)多年的技術(shù)積累，國(guó)內(nèi)企業(yè)在模擬 IC 和功率半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化替代有了相當(dāng)?shù)倪M(jìn)步，但在技術(shù)難度最高的 SoC 與存儲(chǔ)類芯片測(cè)試領(lǐng)域還需要更多的突破。

3、半導(dǎo)體激光打標(biāo)設(shè)備行業(yè)概況

半導(dǎo)體封裝測(cè)試環(huán)節(jié)包括晶圓研磨及切割、上片、焊線、塑封、激光打印、切割成型、測(cè)試。其中激光打印涉及的生產(chǎn)設(shè)備為激光打標(biāo)設(shè)備，其主要作用為在半導(dǎo)體元器件上高速打印器件公司名稱及產(chǎn)品型號(hào)等內(nèi)容，是封裝環(huán)節(jié)的必要設(shè)備，屬于半導(dǎo)體封裝測(cè)試設(shè)備。

半導(dǎo)體激光打標(biāo)是通過(guò)計(jì)算機(jī)控制軟件，利用高能量密度的激光對(duì)工件進(jìn)行局部照射，使表層材料汽化或發(fā)生顏色變化的化學(xué)反應(yīng)，快速在芯片上留下永久性標(biāo)記的一種打標(biāo)方法。在封裝產(chǎn)線上，激光打標(biāo)設(shè)備與分選機(jī)相連接，通過(guò)分選機(jī)的分選，傳送，激光打標(biāo)設(shè)備在芯片上完成打印標(biāo)識(shí)，因此，行業(yè)內(nèi)也將激光打標(biāo)設(shè)備歸類到分選設(shè)備類別中，半導(dǎo)體激光打標(biāo)設(shè)備是激光打標(biāo)技術(shù)在半導(dǎo)體后道封測(cè)環(huán)節(jié)的一個(gè)應(yīng)用分支。

半導(dǎo)體激光打標(biāo)設(shè)備在后道封測(cè)的應(yīng)用如下圖所示：

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在半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域，激光打標(biāo)設(shè)備優(yōu)劣的主要衡量指標(biāo)主要包括打標(biāo)的效率（UPH 值），重復(fù)精度以及其控制系統(tǒng)能否與封裝產(chǎn)線集成，實(shí)現(xiàn)加工信號(hào)和數(shù)據(jù)的精準(zhǔn)傳遞以及精益生產(chǎn)系統(tǒng)的全流程管理。作為封測(cè)工藝的一環(huán)，激光打標(biāo)的 UPH 值會(huì)影響封測(cè)產(chǎn)線整體的生產(chǎn)效率。

根據(jù)半導(dǎo)體工藝流程，激光打標(biāo)設(shè)備分為前道晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)和后道封測(cè)環(huán)節(jié)。其中，前道激光打標(biāo)設(shè)備通常與切割或視覺(jué)檢測(cè)系統(tǒng)及其他機(jī)械自動(dòng)化模塊集成為激光一體化設(shè)備，設(shè)備價(jià)值比較高，技術(shù)難度大，目前主要以進(jìn)口設(shè)備為主。對(duì)于后道封測(cè)環(huán)節(jié)的激光打標(biāo)設(shè)備，國(guó)內(nèi)企業(yè)經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)積累，目前技術(shù)比較成熟，國(guó)產(chǎn)激光打標(biāo)設(shè)備占比超過(guò) 50%，但在全自動(dòng)激光打標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域，由于技術(shù)門(mén)檻較高和應(yīng)用推廣不足，該領(lǐng)域還是以德國(guó) ROFIN、韓國(guó) EO 等進(jìn)口設(shè)備為主。

4、半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)壁壘

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)屬于技術(shù)密集型和資本密集型相結(jié)合的行業(yè)，集計(jì)算機(jī)、自動(dòng)化、通信、電子和微電子等技術(shù)于一身，對(duì)產(chǎn)業(yè)化運(yùn)作有著很高的要求，在技術(shù)、人才、客戶資源、資金、產(chǎn)業(yè)整合方面存在較高的進(jìn)入壁壘，具體如下：

（1）技術(shù)壁壘

半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)涵蓋多門(mén)學(xué)科的技術(shù)，包括計(jì)算機(jī)、自動(dòng)化、通信、電子和微電子等，為典型的技術(shù)密集、知識(shí)密集的高科技行業(yè)，用戶對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的可靠性、穩(wěn)定性和一致性要求較高，由于芯片技術(shù)和復(fù)雜程度不斷提升，測(cè)試設(shè)備企業(yè)須具有非常強(qiáng)大的研發(fā)能力，產(chǎn)品持續(xù)迭代升級(jí)，方可應(yīng)對(duì)客戶不斷提高的測(cè)試參數(shù)和功能以及效率要求。半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)的技術(shù)壁壘也比較高。具體技術(shù)壁壘如下：

A、隨著制造成本的提升，測(cè)試效率要求不斷提高，測(cè)試系統(tǒng)的并行測(cè)試能力不斷提升。在相同的測(cè)試時(shí)間內(nèi)，并行測(cè)試芯片數(shù)量越多，則測(cè)試效率越高，平均每顆芯片的測(cè)試成本越低。此外，隨著并行測(cè)試數(shù)越多，對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的功能、測(cè)試系統(tǒng)資源同步能力、測(cè)試資源密度和響應(yīng)速度及并行測(cè)試數(shù)據(jù)的一致性及穩(wěn)定性要求就越高。

B、隨著封裝技術(shù)的發(fā)展，功能復(fù)雜的混合信號(hào)芯片越來(lái)越多，通常內(nèi)部含有MCU 系統(tǒng)、數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、數(shù)字通信接口、無(wú)線通信接口、無(wú)線快充、模擬信號(hào)處理或者功率驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等；另一方面，隨著汽車電子和新能源下游應(yīng)用的推廣，功率半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體器件不僅需要測(cè)試直流參數(shù)，還需要測(cè)試更多范圍的動(dòng)態(tài)參數(shù)，對(duì)于測(cè)試機(jī)系統(tǒng)的功能模塊要求也越來(lái)越高。

C、隨著芯片的技術(shù)和封裝水平的提升，對(duì)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試精度的要求不斷提升。客戶對(duì)測(cè)試系統(tǒng)各方面的精度要求在提升，測(cè)試電壓精確到微伏（μV）、測(cè)試電流精確到皮安（pA）、測(cè)試時(shí)間精確到百皮秒（100pS）。對(duì)于極小電流和極小電壓的測(cè)試，測(cè)試設(shè)備要通過(guò)一些技術(shù)訣竅來(lái)克服信號(hào)干擾導(dǎo)致測(cè)試精度偏差的難題。因此，從測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)來(lái)看，每個(gè)元器件的選擇、電路板的布局到系統(tǒng)平臺(tái)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)都需要深厚的基礎(chǔ)儲(chǔ)備和豐富的測(cè)試經(jīng)驗(yàn)。

D、隨著大功率器件及第三代半導(dǎo)體功率器件的廣泛應(yīng)用，芯片的電路密度和功率密度更大，功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)的電流/電壓及脈寬控制精度的測(cè)試要求不斷提高。企業(yè)要具備較強(qiáng)的研發(fā)能力，能夠快速響應(yīng)客戶的技術(shù)要求，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品技術(shù)的升級(jí)和迭代。

E、測(cè)試系統(tǒng)軟件須滿足通用化軟件開(kāi)發(fā)平臺(tái)的要求，符合客戶使用習(xí)慣。從技術(shù)層面來(lái)看，某個(gè)系列的測(cè)試系統(tǒng)會(huì)稱為一個(gè)測(cè)試平臺(tái)，在這個(gè)系列的測(cè)試平臺(tái)上，測(cè)試系統(tǒng)能夠滿足某大類（如模擬或數(shù)?；旌闲盘?hào)）芯片的測(cè)試需求，客戶可以根據(jù)具體不同應(yīng)用要求的芯片在測(cè)試平臺(tái)上進(jìn)行測(cè)試程序的二次開(kāi)發(fā)。因此，隨著集成電路產(chǎn)品門(mén)類的增加，客戶要求測(cè)試設(shè)備具備通用化軟件開(kāi)發(fā)平臺(tái)，方便客戶進(jìn)行二次應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)，以適應(yīng)不同產(chǎn)品的測(cè)試需求。

⑥測(cè)試系統(tǒng)對(duì)數(shù)據(jù)整合、分析能力的提升以及與客戶生產(chǎn)管理系統(tǒng)集成要求的提升。

一方面，客戶要求測(cè)試設(shè)備對(duì)芯片的狀態(tài)、參數(shù)監(jiān)控、生產(chǎn)質(zhì)量等數(shù)據(jù)進(jìn)行大數(shù)據(jù)分析，另一方面，隨著測(cè)試功能模塊的增多，整套測(cè)試系統(tǒng)的各個(gè)測(cè)試模塊測(cè)試的數(shù)據(jù)須進(jìn)行嚴(yán)格對(duì)應(yīng)合并，保證最終收取的數(shù)據(jù)與半導(dǎo)體元芯片嚴(yán)格一一對(duì)應(yīng)，并以最終合并的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析對(duì)被測(cè)的芯片進(jìn)行綜合分檔分級(jí)。如：汽車電子要求測(cè)試系統(tǒng)須滿足靜態(tài) PAT，動(dòng)態(tài) PAT 及離線 PAT 技術(shù)的要求，即通過(guò)對(duì)測(cè)試器件關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)計(jì)算得到該批次器件性能的分布，然后自動(dòng)地提高測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)，保證測(cè)試通過(guò)的器件的一致性和穩(wěn)定性。

半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)企業(yè)需要具備多年的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品應(yīng)用和服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，才能積累和儲(chǔ)備大量的技術(shù)數(shù)據(jù)，一方面，對(duì)產(chǎn)品的升級(jí)迭代做出快速的響應(yīng)，滿足半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)品更新?lián)Q代較快的要求；另一方面，深厚的技術(shù)儲(chǔ)備能確保設(shè)備性能參數(shù)持續(xù)改良優(yōu)化，確保測(cè)試系統(tǒng)在量產(chǎn)中的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性。對(duì)于行業(yè)新進(jìn)入者，需要經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)時(shí)間的技術(shù)儲(chǔ)備和產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)積累，才能和業(yè)內(nèi)已經(jīng)占據(jù)技術(shù)優(yōu)勢(shì)的企業(yè)相抗衡，較難在短期內(nèi)全面掌握所涉及的技術(shù)，因此本行業(yè)具有較高的技術(shù)壁壘。

（2）人才壁壘

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)。目前，本科大專院校中沒(méi)有對(duì)應(yīng)的學(xué)科專業(yè)。因此，半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)人才主要靠企業(yè)培養(yǎng)。研發(fā)技術(shù)人員不僅需要掌握各類技術(shù)、材料、工藝、設(shè)備、微系統(tǒng)集成等多領(lǐng)域?qū)I(yè)知識(shí)，還需要經(jīng)過(guò)多年的實(shí)踐工作并在資深技術(shù)人員的“傳、幫、帶”下，才能完成測(cè)試設(shè)備的知識(shí)儲(chǔ)備和從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，才能成長(zhǎng)為具備豐富經(jīng)驗(yàn)的高端人才；對(duì)于企業(yè)的管理人才則需要具備豐富的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，熟悉產(chǎn)業(yè)的運(yùn)作規(guī)律，把握行業(yè)的周期起伏，才能指定符合企業(yè)發(fā)展階段的發(fā)展戰(zhàn)略；在市場(chǎng)拓展和銷售方面，也需具備相當(dāng)?shù)募夹g(shù)基礎(chǔ)和豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，以便能夠及時(shí)、準(zhǔn)確傳遞公司產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)和客戶的技術(shù)要求，因此企業(yè)的技術(shù)營(yíng)銷型人才一般通過(guò)售后服務(wù)或技術(shù)部門(mén)內(nèi)部轉(zhuǎn)化，成熟銷售人員的培養(yǎng)周期長(zhǎng)。

目前，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)專業(yè)人才較為匱乏，雖然近年來(lái)專業(yè)人才的培養(yǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，但仍然供不應(yīng)求，難以滿足行業(yè)發(fā)展的需要，而行業(yè)內(nèi)具有豐富經(jīng)驗(yàn)的高端技術(shù)人才更是相對(duì)稀缺。對(duì)于行業(yè)領(lǐng)先的企業(yè)來(lái)說(shuō)，在企業(yè)的發(fā)展歷程中，都會(huì)形成了企業(yè)人才培養(yǎng)的方法和路徑，并形成人才梯隊(duì)。隨著半導(dǎo)體行業(yè)處于長(zhǎng)期景氣周期，有技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)的高端人才的需求缺口日益擴(kuò)大，人才的聚集和儲(chǔ)備成為市場(chǎng)新進(jìn)入企業(yè)的重要壁壘。

（3）資金和規(guī)模壁壘

為保持技術(shù)的先進(jìn)性、工藝的領(lǐng)先性和產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備企業(yè)在技術(shù)研發(fā)方面的資金投入也越來(lái)越大。企業(yè)的產(chǎn)品必須達(dá)到一定的資金規(guī)模和業(yè)務(wù)規(guī)模，才能獲得生存和發(fā)展的空間，從研發(fā)項(xiàng)目立項(xiàng)、試產(chǎn)、驗(yàn)證、優(yōu)化、市場(chǎng)推廣到銷售的各個(gè)環(huán)節(jié)都需要投入較高人力成本和研發(fā)費(fèi)用。半導(dǎo)體產(chǎn)品類別眾多，市場(chǎng)變化快、性能參數(shù)不盡相同，對(duì)測(cè)試設(shè)備企業(yè)的產(chǎn)品規(guī)格和性能指標(biāo)都提出了較高的要求，企業(yè)需要較好的現(xiàn)金流支持企業(yè)長(zhǎng)期的研發(fā)投入和長(zhǎng)周期的客戶認(rèn)證投入。

（4）產(chǎn)業(yè)協(xié)同壁壘

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工的進(jìn)一步精細(xì)化，在 Fabless 模式下，產(chǎn)業(yè)協(xié)同壁壘主要體現(xiàn)在測(cè)試設(shè)備企業(yè)須與半導(dǎo)體上游設(shè)計(jì)企業(yè)、與晶圓制造企業(yè)及封裝測(cè)試企業(yè)等建立穩(wěn)定緊密的合作關(guān)系。由于測(cè)試設(shè)備是在封測(cè)企業(yè)產(chǎn)線端對(duì)晶圓或芯片是否滿足設(shè)計(jì)的功能和性能進(jìn)行檢測(cè)，因此，測(cè)試設(shè)備企業(yè)往往在芯片設(shè)計(jì)階段就已與設(shè)計(jì)企業(yè)針對(duì)芯片的測(cè)試功能、參數(shù)要求以及測(cè)試程序進(jìn)行深入的交流。在下游封裝測(cè)試企業(yè)端，測(cè)試設(shè)備企業(yè)，根據(jù)封測(cè)企業(yè)的要求，結(jié)合設(shè)計(jì)企業(yè)的要求，提供符合客戶使用習(xí)慣和生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試程序。通過(guò)與上下游客戶的協(xié)作，最終確保芯片測(cè)試的質(zhì)量、效率和穩(wěn)定性滿足上下游的要求。在產(chǎn)業(yè)協(xié)同的大背景下，半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)企業(yè)前期的投入較大，協(xié)同積累需要相當(dāng)時(shí)間。對(duì)于新進(jìn)入者而言，市場(chǎng)先進(jìn)入者已建立并穩(wěn)定運(yùn)營(yíng)的產(chǎn)業(yè)協(xié)同將構(gòu)成其進(jìn)入本行業(yè)的一大壁壘。

（5）客戶資源壁壘

客戶資源積累需要長(zhǎng)時(shí)間市場(chǎng)耕耘，在獲得半導(dǎo)體客戶訂單前，下游客戶特別是國(guó)際知名企業(yè)認(rèn)證的周期較長(zhǎng)，測(cè)試設(shè)備的替換需要一系列的認(rèn)證流程，包括企業(yè)成立時(shí)間、發(fā)展歷史、環(huán)保合規(guī)性、測(cè)試設(shè)備質(zhì)量，內(nèi)部生產(chǎn)管理流程規(guī)范性是否達(dá)到客戶的要求等方面；客戶還需要結(jié)合產(chǎn)線安排和芯片項(xiàng)目的情況，對(duì)測(cè)試系統(tǒng)穩(wěn)定性、精密性與可靠性、一致性等特性要求進(jìn)行驗(yàn)證。因此，客戶認(rèn)證周期為 6-24 個(gè)月，個(gè)別國(guó)際大型客戶的認(rèn)證審核周期可能長(zhǎng)達(dá) 2-3 年?？蛻魢?yán)格的認(rèn)證制度增加了新進(jìn)入的企業(yè)獲得訂單的難度和投入。

目錄

第一章　半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)基本概述

1.1　半導(dǎo)體的定義和分類

1.1.1　半導(dǎo)體的定義

1.1.2　半導(dǎo)體的分類

1.1.3　半導(dǎo)體的應(yīng)用

1.2　半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)概述

1.2.1　行業(yè)概念界定

1.2.2　行業(yè)主要分類

第二章　2016-2021年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析

2.1　政策環(huán)境（Political）

2.1.1　半導(dǎo)體設(shè)備政策匯總

2.1.2　半導(dǎo)體制造利好政策

2.1.3　集成電路企業(yè)稅收優(yōu)惠

2.1.4　集成電路產(chǎn)業(yè)政策扶持

2.1.5　產(chǎn)業(yè)投資基金的支持

2.2　經(jīng)濟(jì)環(huán)境（Economic）

2.2.1　宏觀經(jīng)濟(jì)發(fā)展概況

2.2.2　工業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行情況

2.2.3　固定資產(chǎn)投資狀況

2.2.4　未來(lái)經(jīng)濟(jì)發(fā)展展望

2.3　社會(huì)環(huán)境（social）

2.3.1　電子信息產(chǎn)業(yè)增速

2.3.2　電子信息設(shè)備規(guī)模

2.3.3　研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入增長(zhǎng)

2.3.4　科技人才隊(duì)伍壯大

2.4　技術(shù)環(huán)境（Technological）

2.4.1　企業(yè)研發(fā)投入

2.4.2　技術(shù)迭代歷程

2.4.3　企業(yè)專利狀況

第三章　2016-2021年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展?fàn)顩r

3.1　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析

3.1.1　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)

3.1.2　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈流程

3.1.3　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移

3.2　2016-2021年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總體分析

3.2.1　市場(chǎng)銷售規(guī)模

3.2.2　行業(yè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

3.2.3　區(qū)域市場(chǎng)格局

3.2.4　產(chǎn)業(yè)研發(fā)投入

3.2.5　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況

3.2.6　企業(yè)支出狀況

3.2.7　企業(yè)研發(fā)投入

3.2.8　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景

3.3　2016-2021年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)運(yùn)行狀況

3.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程

3.3.2　產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模

3.3.3　市場(chǎng)規(guī)?，F(xiàn)狀

3.3.4　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布

3.3.5　市場(chǎng)機(jī)會(huì)分析

3.4　2016-2021年中國(guó)IC設(shè)計(jì)行業(yè)發(fā)展分析

3.4.1　行業(yè)發(fā)展歷程

3.4.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模

3.4.3　企業(yè)發(fā)展?fàn)顩r

3.4.4　產(chǎn)業(yè)地域分布

3.4.5　專利申請(qǐng)情況

3.4.6　資本市場(chǎng)表現(xiàn)

3.4.7　行業(yè)面臨挑戰(zhàn)

3.5　2016-2021年中國(guó)IC制造行業(yè)發(fā)展分析

3.5.1　制造工藝分析

3.5.2　晶圓加工技術(shù)

3.5.3　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模

3.5.4　企業(yè)排名狀況

3.5.5　行業(yè)發(fā)展措施

3.6　2016-2021年中國(guó)IC封裝測(cè)試行業(yè)發(fā)展分析

3.6.1　封裝基本介紹

3.6.2　封裝技術(shù)趨勢(shì)

3.6.3　芯片測(cè)試原理

3.6.4　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模

3.6.5　芯片測(cè)試分類

3.6.6　企業(yè)排名狀況

3.6.7　技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

第四章　2016-2021年半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜合分析

4.1　2016-2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展形勢(shì)

4.1.1　市場(chǎng)銷售規(guī)模

4.1.2　市場(chǎng)結(jié)構(gòu)分析

4.1.3　市場(chǎng)區(qū)域分布

4.1.4　重點(diǎn)廠商介紹

4.1.5　廠商競(jìng)爭(zhēng)格局

4.2　2016-2021年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

4.2.1　市場(chǎng)銷售規(guī)模

4.2.2　市場(chǎng)需求分析

4.2.3　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)

4.2.4　企業(yè)產(chǎn)品布局

4.2.5　市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率

4.2.6　行業(yè)發(fā)展成就

4.3　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心設(shè)備——晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)運(yùn)行分析

4.3.1　設(shè)備基本概述

4.3.2　核心環(huán)節(jié)分析

4.3.3　主要廠商介紹

4.3.4　廠商競(jìng)爭(zhēng)格局

4.3.5　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模

4.4　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心設(shè)備——晶圓加工設(shè)備市場(chǎng)運(yùn)行分析

4.4.1　設(shè)備基本概述

4.4.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模

4.4.3　市場(chǎng)價(jià)值構(gòu)成

4.4.4　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

4.5　半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)財(cái)務(wù)狀況分析

4.5.1　經(jīng)營(yíng)狀況分析

4.5.2　盈利能力分析

4.5.3　營(yíng)運(yùn)能力分析

4.5.4　成長(zhǎng)能力分析

4.5.5　現(xiàn)金流量分析

第五章　2016-2021年半導(dǎo)體光刻設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展分析

5.1　半導(dǎo)體光刻環(huán)節(jié)基本概述

5.1.1　光刻工藝重要性

5.1.2　光刻工藝的原理

5.1.3　光刻工藝的流程

5.2　半導(dǎo)體光刻技術(shù)發(fā)展分析

5.2.1　光刻技術(shù)原理

5.2.2　光刻技術(shù)歷程

5.2.3　光學(xué)光刻技術(shù)

5.2.4　EUV光刻技術(shù)

5.2.5　X射線光刻技術(shù)

5.2.6　納米壓印光刻技術(shù)

5.3　2016-2021年光刻機(jī)市場(chǎng)發(fā)展綜述

5.3.1　光刻機(jī)工作原理

5.3.2　光刻機(jī)發(fā)展歷程

5.3.3　光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈條

5.3.4　光刻機(jī)市場(chǎng)規(guī)模

5.3.5　光刻機(jī)競(jìng)爭(zhēng)格局

5.3.6　光刻機(jī)技術(shù)差距

5.4　光刻設(shè)備核心產(chǎn)品——EUV光刻機(jī)市場(chǎng)狀況

5.4.1　EUV光刻機(jī)基本介紹

5.4.2　典型企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況

5.4.3　EUV光刻機(jī)需求企業(yè)

5.4.4　EUV光刻機(jī)研發(fā)分析

第六章　2016-2021年半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展分析

6.1　半導(dǎo)體刻蝕環(huán)節(jié)基本概述

6.1.1　刻蝕工藝介紹

6.1.2　刻蝕工藝分類

6.1.3　刻蝕工藝參數(shù)

6.2　干法刻蝕工藝發(fā)展優(yōu)勢(shì)分析

6.2.1　干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)分析

6.2.2　干法刻蝕應(yīng)用分類

6.2.3　干法刻蝕技術(shù)演進(jìn)

6.3　2016-2021年全球半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r

6.3.1　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模

6.3.2　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

6.3.3　設(shè)備研發(fā)支出

6.4　2016-2021年中國(guó)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r

6.4.1　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模

6.4.2　企業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

6.4.3　市場(chǎng)需求狀況

6.4.4　市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇

第七章　2016-2021年半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展分析

7.1　半導(dǎo)體清洗環(huán)節(jié)基本概述

7.1.1　清洗環(huán)節(jié)的重要性

7.1.2　清洗工藝類型比較

7.1.3　清洗設(shè)備技術(shù)原理

7.1.4　清洗設(shè)備主要類型

7.1.5　清洗設(shè)備主要部件

7.2　2016-2021年半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r

7.2.1　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模

7.2.2　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

7.2.3　市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇

7.2.4　市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)

7.3　半導(dǎo)體清洗機(jī)領(lǐng)先企業(yè)布局狀況

7.3.1　迪恩士公司

7.3.2　盛美半導(dǎo)體

7.3.3　至純科技公司

7.3.4　國(guó)產(chǎn)化布局

第八章　2016-2021年半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展分析

8.1　半導(dǎo)體測(cè)試環(huán)節(jié)基本概述

8.1.1　測(cè)試流程介紹

8.1.2　前道工藝檢測(cè)

8.1.3　中后道的測(cè)試

8.2　2016-2021年半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r

8.2.1　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模

8.2.2　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

8.2.3　細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

8.2.4　設(shè)備制造廠商

8.2.5　主要產(chǎn)品介紹

8.3　半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備重點(diǎn)企業(yè)發(fā)展啟示

8.3.1　泰瑞達(dá)

8.3.2　愛(ài)德萬(wàn)

8.4　半導(dǎo)體測(cè)試核心設(shè)備發(fā)展分析

8.4.1　測(cè)試機(jī)

8.4.2　分選機(jī)

8.4.3　探針臺(tái)

第九章　2016-2021年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)其他設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展分析

9.1　單晶爐設(shè)備

9.1.1　設(shè)備基本概述

9.1.2　設(shè)備數(shù)量規(guī)模

9.1.3　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

9.1.4　市場(chǎng)空間測(cè)算

9.2　氧化/擴(kuò)散設(shè)備

9.2.1　設(shè)備基本概述

9.2.2　市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

9.2.3　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

9.2.4　核心產(chǎn)品介紹

9.3　薄膜沉積設(shè)備

9.3.1　設(shè)備基本概述

9.3.2　市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

9.3.3　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

9.3.4　市場(chǎng)前景展望

9.4　化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備

9.4.1　設(shè)備基本概述

9.4.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模

9.4.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

9.4.4　主要企業(yè)分析

第十章　2016-2021年國(guó)外半導(dǎo)體設(shè)備重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況

10.1　A公司

10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.1.2　企業(yè)發(fā)展歷程

10.1.3　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況

10.1.4　企業(yè)核心產(chǎn)品

10.1.5　企業(yè)業(yè)務(wù)布局

10.1.6　企業(yè)發(fā)展前景

10.2　B公司

10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.2.2　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況

10.2.3　企業(yè)核心產(chǎn)品

10.2.4　企業(yè)發(fā)展前景

10.3　C公司

10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.3.2　企業(yè)發(fā)展歷程

10.3.3　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況

10.3.4　企業(yè)核心產(chǎn)品

10.3.5　企業(yè)發(fā)展前景

10.4　D公司

10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.4.2　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況

10.4.3　企業(yè)核心產(chǎn)品

10.4.4　企業(yè)發(fā)展前景

第十一章　國(guó)內(nèi)相關(guān)半導(dǎo)體企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

11.1　A公司

11.1.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.1.2　相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)特點(diǎn)

11.1.3　相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)銷、價(jià)格、利潤(rùn)分析

11.1.4　財(cái)務(wù)狀況分析

11.1.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析

11.1.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.1.7　企業(yè)新動(dòng)態(tài)

11.2　B公司

11.2.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.2.2　相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)特點(diǎn)

11.2.3　相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)銷、價(jià)格、利潤(rùn)分析

11.2.4　財(cái)務(wù)狀況分析

11.2.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析

11.2.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.2.7　企業(yè)新動(dòng)態(tài)

11.3　C公司

11.3.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.3.2　相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)特點(diǎn)

11.3.3　相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)銷、價(jià)格、利潤(rùn)分析

11.3.4　財(cái)務(wù)狀況分析

11.3.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析

11.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.3.7　企業(yè)新動(dòng)態(tài)

11.4　D公司

11.4.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.4.2　相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)特點(diǎn)

11.4.3　相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)銷、價(jià)格、利潤(rùn)分析

11.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析

11.4.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析

11.4.6　企業(yè)新動(dòng)態(tài)

11.5　E公司

11.5.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.5.2　相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)特點(diǎn)

11.5.3　相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)銷、價(jià)格、利潤(rùn)分析

11.5.4　財(cái)務(wù)狀況分析

11.5.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析

11.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.5.7　企業(yè)新動(dòng)態(tài)

11.6　F公司

11.6.1　企業(yè)發(fā)展概況

11.6.2　相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)特點(diǎn)

11.6.3　相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)銷、價(jià)格、利潤(rùn)分析

11.6.4　財(cái)務(wù)狀況分析

11.6.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析

11.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.6.7　企業(yè)新動(dòng)態(tài)

第十二章　半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)投資價(jià)值分析

12.1　半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)并購(gòu)市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r

12.1.1　企業(yè)并購(gòu)歷史回顧

12.1.2　行業(yè)并購(gòu)特征分析

12.1.3　企業(yè)并購(gòu)動(dòng)機(jī)歸因

12.1.4　行業(yè)企業(yè)并購(gòu)動(dòng)態(tài)

12.2　中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)投資機(jī)遇分析

12.2.1　整體投資機(jī)遇分析

12.2.2　建廠加速拉動(dòng)需求

12.2.3　產(chǎn)業(yè)政策扶持發(fā)展

12.3　半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)投資機(jī)會(huì)點(diǎn)分析

12.3.1　薄膜工藝設(shè)備

12.3.2　刻蝕工藝設(shè)備

12.3.3　光刻工藝設(shè)備

12.3.4　清洗工藝設(shè)備

12.4　半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)投資壁壘分析

12.4.1　技術(shù)壁壘分析

12.4.2　客戶驗(yàn)證壁壘

12.4.3　競(jìng)爭(zhēng)壁壘分析

12.4.4　資金壁壘分析

12.5　半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)分析

12.5.1　經(jīng)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)分析

12.5.2　行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)分析

12.5.3　宏觀環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)

12.5.4　知識(shí)產(chǎn)權(quán)風(fēng)險(xiǎn)

12.5.5　人才資源風(fēng)險(xiǎn)

12.5.6　技術(shù)研發(fā)風(fēng)險(xiǎn)

12.6　半導(dǎo)體設(shè)備投資價(jià)值評(píng)估及建議

12.6.1　投資價(jià)值綜合評(píng)估

12.6.2　行業(yè)投資特點(diǎn)分析

12.6.3　行業(yè)投資策略建議

第十三章　中國(guó)行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)項(xiàng)目投資建設(shè)案例深度解析

13.1　半導(dǎo)體濕法設(shè)備制造項(xiàng)目

13.1.1　項(xiàng)目基本概述

13.1.2　資金需求測(cè)算

13.1.3　建設(shè)內(nèi)容規(guī)劃

13.1.4　經(jīng)濟(jì)效益分析

13.1.5　項(xiàng)目基本概述

13.1.6　資金需求測(cè)算

13.1.7　實(shí)施進(jìn)度安排

13.1.8　經(jīng)濟(jì)效益分析

13.2　光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目

13.2.1　項(xiàng)目基本概述

13.2.2　資金需求測(cè)算

13.2.3　建設(shè)內(nèi)容規(guī)劃

13.2.4　經(jīng)濟(jì)效益分析

13.3　半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目

13.3.1　項(xiàng)目基本概述

13.3.2　資金需求測(cè)算

13.3.3　項(xiàng)目進(jìn)度安排

13.3.4　項(xiàng)目投資價(jià)值

第十四章　2021-2027年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及預(yù)測(cè)分析

14.1　中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

14.1.1　技術(shù)發(fā)展利好

14.1.2　自主創(chuàng)新發(fā)展

14.1.3　產(chǎn)業(yè)地位提升

14.1.4　市場(chǎng)應(yīng)用前景

14.2　中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景展望

14.2.1　政策支持發(fā)展

14.2.2　行業(yè)發(fā)展機(jī)遇

14.2.3　市場(chǎng)應(yīng)用需求

14.2.4　行業(yè)發(fā)展前景

14.3　2021-2027年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)預(yù)測(cè)分析

14.3.1　2021-2027年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)影響因素分析

14.3.2　2021-2027年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備銷售規(guī)模預(yù)測(cè)